В этом посте:
МТС начал продавать BlackBerry Curve 8520
Вентильные реактивные электродвигатели пригодны для гибридов
МТС начал продавать BlackBerry Curve 8520
Представлен экономичный Bluetooth
Intel усовершенствовала транзисторы следующего поколения
МТС начал продавать BlackBerry Curve 8520 |
 19.12.2009 [14:21], Татьяна Смирнова Сотовый оператор МТС анонсировал начало продаж смартфона BlackBerry Curve 8520. Телефон RIM поступает в российскую розницу по цене 12,5 тыс. рублей – купить его можно с разными тарифами (корпоративными и частными). «Мы рады предложить посетителям наших салонов различные модели смартфонов BlackBerry, предоставляющие пользователям важные преимущества в работе и в повседневной жизни», - заявил вице-президент МТС по коммерческим вопросам Михаил Герчук. BlackBerry Curve 8520 с толщиной 13,9 мм является самым доступным предложением МТС в линейке RIM. Для работы с текстом в нем есть QWERTY-клавиатура, удобство пользования социальными сетями возможно благодаря интеграции с Facebook, MySpace и другими сервисами. Смартфон оборудован 256 Мб памяти, 512-МГц процессором, трекболом, Bluetooth со стереопрофилем, 2-Мп камерой, слотом под карту памяти microSDHC (до 16 Гб, а в комплекте идет на 2 Гб), Wi-Fi. Время работы в режиме разговора достигает 4,5 часов, в режиме ожидания – 17 дней. Смартфоны BlackBerry известны фирменными сервисами. Почта максимально защищена, равно как и пользовательские данные. В случае утери телефона сотрудники МТС могут удаленно удалить всю сохраненную информацию. Материалы по теме: - Windows Mobile уступила iPhone на американском рынке; - Goggles – экспансия Google на рынок мобильного поиска; - Топ-10 лучших телефонов года. company.mts.ru Рубрики: мобильные телефоны, смартфоны, сотовая связь Теги: мтс, blackberry, curve |
Вентильные реактивные электродвигатели пригодны для гибридов |
 19.12.2009 [16:11], Александр Харьковский Исследователи из Токийского университета заявили, что им удалось сократить размеры вентильных реактивных электродвигателей (ВРД, switched reluctance motor, SR) до масштабов, позволяющих включать их в состав гибридных силовых приводов автомобилей. Действующий прототип устройства представил профессор Акиро Чиба (Akira Chiba), руководивший изысканиями. Во всех текущих моделях гибридных автомобилей используются синхронные электродвигатели, содержащие встроенные постоянные магниты. Однако 90% редкоземельных материалов, необходимых для производства таких магнитов, поставляется из Китая в ограниченном количестве. Более того, в ответ на рост спроса цены на данные материалы уже выросли в два-три раза и имеют тенденцию к дальнейшему увеличению. В отличие от синхронных электродвигателей, ВРД не предполагают использования постоянных магнитов, и поэтому создание коммерческих компактных моделей приводов этого типа является весьма актуальной задачей. Вращение в ВРД обеспечивается за счет разности в магнитном сопротивлении обмоток ротора и статора. Конструкция двигателя за счет простоты отличается надежностью и отличной термостойкостью, но до сих пор приводы этого типа уступали по развиваемому моменту вращения и эффективности использования энергии синхронным электродвигателям аналогичных размеров. Поэтому ВРД, способные обеспечить сопоставимые характеристики, до сих пор получались слишком большими для того, чтобы их можно было устанавливать в легковые автомобили. Представленный прототип усовершенствованного ВРД имеет те же размеры, что и синхронный электродвигатель мощностью 50 кВт, применяемый в Toyota Prius второго поколения. Максимальный момент вращения данного ВРД (403 Нм) и КПД (86%) сопоставимы с характеристиками электродвигателя Prius (400 Нм и 83%, соответственно). Плотность момента вращения на объем, занимаемый ВРД – 45 Нм/л. Сообщается, что улучшить характеристики альтернативного электродвигателя удалось за счет того, что Чиба вывел зависимость момента вращения от количества обмоток ротора и статора, и довел его, соответственно, до 12 и 18. Кроме того, увеличению момента вращения способствовало смещение обмоток статора в конструкции. Материалы по теме: - Развенчание мифов о гибридных автомобилях; - Автодайджест. Выпуск №19. techon.nikkeibp.co.jp Рубрики: компьютерные технологии в автомобилях Теги: электродвигатели, вентильные, реактивные, электродвигатели, ВРД, гибридные, автомобили |
МТС начал продавать BlackBerry Curve 8520 |
| 19.12.2009 [14:21], Татьяна Смирнова Сотовый оператор МТС анонсировал начало продаж смартфона BlackBerry Curve 8520. Телефон RIM поступает в российскую розницу по цене 12,5 тыс. рублей – купить его можно с разными тарифами (корпоративными и частными). «Мы рады предложить посетителям наших салонов различные модели смартфонов BlackBerry, предоставляющие пользователям важные преимущества в работе и в повседневной жизни», - заявил вице-президент МТС по коммерческим вопросам Михаил Герчук. BlackBerry Curve 8520 с толщиной 13,9 мм является самым доступным предложением МТС в линейке RIM. Для работы с текстом в нем есть QWERTY-клавиатура, удобство пользования социальными сетями возможно благодаря интеграции с Facebook, MySpace и другими сервисами. Смартфон оборудован 256 Мб памяти, 512-МГц процессором, трекболом, Bluetooth со стереопрофилем, 2-Мп камерой, слотом под карту памяти microSDHC (до 16 Гб, а в комплекте идет на 2 Гб), Wi-Fi. Время работы в режиме разговора достигает 4,5 часов, в режиме ожидания – 17 дней. Смартфоны BlackBerry известны фирменными сервисами. Почта максимально защищена, равно как и пользовательские данные. В случае утери телефона сотрудники МТС могут удаленно удалить всю сохраненную информацию. Материалы по теме: - Windows Mobile уступила iPhone на американском рынке; - Goggles – экспансия Google на рынок мобильного поиска; - Топ-10 лучших телефонов года. company.mts.ru Рубрики: мобильные телефоны, смартфоны, сотовая связь Теги: мтс, blackberry, curve |
Представлен экономичный Bluetooth |
 20.12.2009 [04:34], Александр Будик Группа Bluetooth SIG (Special Interest Group), ответственная за развитие и продвижение одноименного беспроводного стандарта, заявила о разработке технологии Bluetooth low energy, которая является ключевой отличительной особенностью грядущей версии спецификации Bluetooth 4.0. Как известно, при включении Bluetooth на мобильных устройствах аккумулятор разряжается гораздо быстрее из-за высокого энергопотребления. Новая технология как раз и предназначена для решения этой проблемы. Среди особенностей Bluetooth low energy отмечаются: Сверхнизкие значения пиковой, средней потребляемой мощности и энергопотребления в режиме простоя; Возможность автономно работать на протяжении нескольких лет от стандартных батареек типа "таблетки"; Увеличенный радиус действия – до 100 и более метров; Скорость передачи данных до 1 Мбит/с; Время для установления соединения и начала передачи данных – 3 мс; Поддержка шифрования AES со 128-битным ключом. Напомним, текущая версия Bluetooth – 3.0. Она была принята в апреле этого года. Появление первых устройств с Bluetooth 4.0 ожидается в начале 2010 года. Материалы по теме: - 8 наиболее ожидаемых мобильных технологий в 2009-2010 гг; - Дата рождения Bluetooth 3.0 - 21 апреля 2009 года; - Wireless USB - потенциал технологии пока еще не раскрыт. Bluetooth Рубрики: беспроводные сети, Wi-Fi, Bluetooth, etc. Теги: bluetooth, спецификация, стандарт, связь, радио |
Intel усовершенствовала транзисторы следующего поколения |
 20.12.2009 [09:00], Денис Борн Intel заявила об успешном изготовлении полевого транзистора с использованием индий-галлий-арсенида (InGaAs) на кремниевой подложке путём интегрирования затвора с высокой диэлектрической постоянной. Изолятор с высоким значением этого параметра позволяет уменьшить толщину оксида затвора без последствий в виде роста утечек зарядов. Получившийся комплексный полупроводниковый элемент с квантовыми ямами (quantum-well FET, QFET; квантовая яма – это структура, где частицы ограничены одной координатой) продемонстрировал высокие скорость переноса и ток возбуждения, что делает архитектуру InGaAs-on-Si привлекательным решением, но масштаб элементов должен быть снижен перед коммерциализацией технологии. По словам вице-президента Technology and Manufacturing Group и директора подразделения исследований компонентов в Intel Labs Майка Мэйберри (Mike Mayberry), длина затвора составляет 40 нм, однако контакты по-прежнему большие. Следующая задача заключается в их уменьшении, что минимизирует барьер между металлическими контактами и квантовой ямой. Intel более трёх лет работает над составными полупроводниками с целью интегрирования быстродействующих InGaAs-транзисторов на кремниевых подложках. Были преодолены несколько препятствий на пути к коммерциализации полупроводников класса III-V (с элементами соответствующих групп периодической таблицы), включая возможность объединения транзисторов из кремния и InGaAs на одном кристалле и создание элементов p- и n-типа. Чипмейкер разработал диэлектрик с высоким значением диэлектрической постоянной (high-k dielectric), отличный от материала, используемого в кремниевых транзисторах. В новом high-k-материале используется комплексная структура из 4-нм слоя тантала и оксида кремния на 2-нм запирающем слое из индий-фосфора. Чтобы получить высокую мобильность переноса в QFET, два материала буферного слоя – индий-алюминий-арсенид и индий-фосфор – были размещены между диэлектриком и квантовой ямой. Мэйберри уверен, что транзисторы класса III-V могут начать вытеснять традиционные кремниевые технологии с 2015 года, но только если задачи интеграции будут решены. В противном случае такие элементы всё равно станут кандидатами на совмещение с кремнием для специализированных областей, таких как фотонные устройства и транзисторы для периферийной поддержки работы чипа. Материалы по теме: - Новые материалы для транзисторов; - Toshiba представила спинтронный транзистор; - IT-Байки: Электроника-2020 – жизнь после смерти кремния. eetimes.com Рубрики: процессоры рынок IT Комментарии последних событий нанотехнологии Теги: Intel, InGaAs, транзистор, чип, QFET |
Комментариев нет:
Отправить комментарий